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  商业资讯:电子 — 英飞凌不甘NAND“追随者” 誓作DRAM龙头
         

 

英飞凌不甘NAND“追随者” 誓作DRAM龙头
信息来源:国际电子商情 点击次数:61 发布时间:2006/3/17 13:38:59
 
许多内存厂商都在加紧扩大NAND闪存业务,德国英飞凌却在这一领域表现落后,很可能错失这一市场机会。“我们认为自己是DRAM领域中的领先者,”英飞凌内存产品业务副总裁Bernd Lienhard表示,“而在NAND市场,我们是追随者,我们处于追赶状态。” 英飞凌目前正在扩大1G NAND闪存的产量,采用的是从以色列Saifun Semiconductors Ltd.获得授权的技术。虽然英飞凌仍在从事这一市场,但该公司把更多的注意力投向了DRAM,将整个内存部门分拆出去的计划宣布已久,而以何种方式分拆尚未尘埃落定。 “我们的焦点放在DRAM、DRAM, 还是DRAM。”Lienhard在采访中如此表达,“今年,我们誓在成为全球最好的DRAM供应商。”据市场调研公司Gartner的数据统计,英飞凌在2005年是全球第四大DRAM供应商,排名位于三星电子、海力士半导体(Hynix)、美光(Micron)之后。而从iSuppli统计的数据来看,英飞凌2005年在NAND闪存市场中的排名从第五位下降到了第七位。 英飞凌似乎正错失NAND市场。由于市场对MP3播放器、USB闪存驱动和其它产品的巨大需求,NAND闪存市场正在迅猛增长。英飞凌的DRAM对手,如Hynix、美光和三星,都正在从NAND市场中受益。 但是,英飞凌在最新一代产品中,从170纳米跳到了110纳米。将来该公司计划把它的NAND生产从110纳米转向70纳米,从而越过了90纳米这一代。

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